儀器簡介：
技術參數：
主要特點：
S-3400N具有新開發的電子光學系統，具有更多的自動化功能，操作界面更友好。
技術參數：
| 項目 描述 |
| SE分辨率 3.0 nm (30 kV)，高真空模式 10 nm (3 kV)， 高真空模式 |
| BSE分辨率 4.0 nm (30 kV)，低真空模式 |
| 放大倍率 ×5～×300，000 |
| 加速電壓 0.3～30 kV |
| 低真空范圍 6～270 Pa |
| 樣品尺寸 直徑200 mm |
| 樣品臺 I型 II型 |
| X 0～80 mm 0～100 mm Y 0～40 mm 0～50 mm Z 5～35 mm 5～65 mm R 360º 360º T -20～+90º -20～+90º |
| 樣品高度 35 mm (WD=10 mm) 80 mm (WD=10 mm) |
| 馬達驅動 手動 五軸馬達驅動 |
| 電子槍 預對中鎢燈絲 |
| 物鏡光欄 可移動式4孔物鏡光欄 |
| 槍偏壓 四階梯度偏壓 |
| 檢測器 二次電子檢測器 高靈敏度半導體背散射電子檢測器 |
| 分析位置 WD=10 mm， TOA=35o |
| 控制 鼠標、鍵盤，手動旋鈕 |
| 自自動調校 自動燈絲飽和、自動四偏壓、自動槍對中、自動束流設定、 自動合軸、自動聚焦消像散、自動亮度對比度 |
主要特點：
特點:
1. S-3400N具有強大的自動功能，包括自動燈絲飽和、4偏壓、自動槍對中、自動束流設定、自動合軸自動聚焦和消像散、自動亮度對比度等。
2. 在3kV低加速電壓時保證有10nm的分辨率。
3. 新型5分割高靈敏半導體式背散射探頭，可在低加速電壓下成像。
4. S-3400N II型具有五軸馬達臺，傾斜角度可達-20度~+90度，樣品可達80mm。
5. 分析樣品室可以同時安裝EDS，WDS 及EBSD等附件。
6. 真空系統使用渦輪分子泵，潔凈、高效。
