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結構分析用場發射掃描電子顯微鏡/掃描電鏡SEM
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結構分析用場發射掃描電子顯微鏡/掃描電鏡SEM

產品價格:
電議
產品型號:
ULTRA
供應商等級:
企業未認證
經營模式:
工廠
企業名稱:
蔡司光學儀器(上海)國際貿易有限公司蔡司半導體事業部
所屬地區:
上海市
發布時間:
2012/4/13 17:29:12

021-50481717-344      

銷售部先生(聯系我時,請說明是在維庫儀器儀表網看到的,謝謝)

企業檔案

蔡司光學儀器(上海)國際貿易有限公司蔡司半導體事業部

企業未認證營業執照未上傳

經營模式:工廠

所在地:上海市

主營產品:掃描電子顯微鏡

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儀器簡介:

在SUPRA™場發射掃描電子顯微鏡基礎上發展起來的ULTRA 場發射掃描電子顯微鏡是用于納米結構分析的電子束成像儀器中的佼佼者,它接收效率高、可以超高分辨率成像。新開發的能量選擇式背散射電子探測器(EsB)和角度選擇式背散射電子探測器(AsB)則代表了的GEMINI®技術的新發展。
ULTRA綜合采用了用于形貌成像的GEMINI® In-len二次電子探測器、用于清晰的組分襯度的EsB探測器和用于采集晶體通道信息的AsB探測器。同步的實時成像與信號混合功能提供了的成像能力。
EsB探測器包含有一個過濾柵網,通過它可實現高分辨率背散射電子成像,讓以前無法看見的細節歷歷在目。
卡爾.蔡司獨特的荷電補償功能在使用所有探測器時,都可以分析非導電樣品

 低加速電壓時的超高分辨率二次電子和背散射電子成像
 用于在納米尺度上實現組分襯度成像的高效EsB / AsB探測器
 控制的超大自動優中心(eucentric)樣品臺
 背散射電子和二次電子信號的實時成像與混合功能
 抑制不導電樣品的荷電效應
 用于X射線分析和背散射電子衍射(EBSD)應用的超穩定束流模式



技術參數:

ULTRA基本規格

分辨率

1.0 nm @ 15 kV

1.7 nm @ 1 kV

4.0 nm @ 0.1 kV

加速電壓

0.1 - 30 kV

探測電流

4 pA - 20 nA

放大倍數

12 - 900,000x

電子槍

熱場發射

標準探測器

鏡筒內置式In-Lens二次電子探測器和EsB探測器,樣品室內AsB探測器和ET探測器

圖象處理

7種積分和平均模式

系統控制

基于Windows® XPSmartSEM™

 

ULTRA 55SE

成像與測量工作站



主要特點:

ULTRA——的成像工具

 看得更多——超高分辨率的SE與BSE同步成像
 看得更清——的成像能力
 看得更細——納米尺度上進行組分分析的利器
 簡便易用——全面集成的鏡筒內置式背散射電子探測器(EsB)和二次電子探測器(In-lens detector)
 遠離荷電——Ultra plus中安裝有荷電補償器,實現了不導電樣品的清晰、成像

聯系方式

蔡司光學儀器(上海)國際貿易有限公司蔡司半導體事業部

聯系人:
銷售部先生
傳真:
021-50482220
所在地:
上海市
類型:
工廠
地址:
上海楊高北路2005號外高橋保稅區日櫻南路11號

服務熱線

021-50481717-344

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