HCJDCS-C型 介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀

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一、產(chǎn)品介紹
1、HCJDCS-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀是根據(jù)GB/T 1409《測量電氣緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗方法》（等效采用IEC 60250）設計和制造的，并合 7770等試驗方法。它適用于在高頻（1MHz）下緣材料的測試。
2、HCJDCS-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀作為新一代的通用、多用途、多量程的阻測試儀器，測試頻率上限目前國內(nèi)的160MHz。采用了多項技術：
1).雙掃描技術 - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。
2).雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
3).雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
4).自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
5).全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
6).DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -信源的高葆真，頻率的高、幅度的高穩(wěn)定。
7).計算機自動修正技術和測試回路優(yōu)化 —使測試回路 殘余電感減至， Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。
3、介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀的設計，無疑為高頻元器件的阻測量提供了的解決方案，它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具，測量值更為，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調(diào)諧電容值下檢測器件的品質(zhì)，無須關注量程和換算單位。

二、相關介紹：
1、介電常數(shù)又稱電容率或相對電容率，是表征電介質(zhì)或緣材料電性能的一個重要數(shù)據(jù)，常用ε表示。 介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應電荷而削弱電場，原外加電場(真空中)與終介質(zhì)中電場比值即為介電常數(shù)。其表示電介質(zhì)在電場中貯存靜電能的相對能力，例如一個電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質(zhì)后可使其電容變大ε倍。介電常數(shù)愈小緣性愈好。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中，場的強度會在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。介電常數(shù)還用來表示介質(zhì)的化程度，宏觀的介電常數(shù)的大小，反應了微觀的化現(xiàn)象的強弱。氣體電介質(zhì)的化現(xiàn)象比較弱，各種氣體的相對介電常數(shù)都接近1，液體、固體的介電常數(shù)則各不相同，而且介電常數(shù)還與溫度、電源頻率有關。
2、物質(zhì)介電常數(shù)具有復數(shù)形式，其實部即為介電常數(shù)，虛數(shù)部分常稱為耗散因數(shù)。
3、通常將耗散因數(shù)與介電常數(shù)之比稱作耗散角正切，其可表示材料與微波的耦合能力，耗散角正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強。例如當電磁波穿過電解質(zhì)時，波的速度被減小，波長也變短了。
4、適用范圍：
   該儀器用于科研單學、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
   
三、技術參數(shù)：
1、Q 值測量范圍  2 ～ 1023 ，
2、量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔 
3、固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz） 
4、工作誤差  ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz） 
5、電感測量范圍  4.5nH ～ 140mH 
6、電容直接測量范圍  1 ～ 200pF 
7、主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ～ 220pF 
8、主電容調(diào)節(jié)準確度  120pF 以下 ± 1.2pF ； 120pF 以上 ± 1 ％ 
9、信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz 
10、頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz 
11、頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字  電感9只；
12、夾具一套

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