產品參數：
型號：IS61C64AL-10JLI
品牌：issi
產品種類 SRAM
封裝-箱體 SOJ
封裝 Tube
工作電源電壓 5 V
存儲容量 64 Kbit
工作溫度 + 85 C
小工作溫度 - 40 C
類型 Asynchrous
訪問時間 10 ns
組織 8 K x 8
端口數量 Single
安裝風格 SMD/SMT
工作電流 25 mA
接口 TTL
Async SRAM（Asynchrous Static RAM）
異步靜態隨機存儲器
自從個帶有二級緩存（cache）的386計算機出現以來，這種老型號的屬于“cache RAM（緩存型隨機存儲器）”類型的內存就開始應用了。異步靜態隨機存儲器（Async SRAM）比DRAM快些，并依賴于CPU的時鐘，其存取速度有20納秒、15納秒和12納秒三種，值越小，表示存取數據的速度越快。但在存取數據時，它還沒有快到能夠與CPU保持同步，CPU須等待以匹配其速度。
SRAM的基本單元有3種狀態：standby （電路處于空閑）， reading （讀）與writing （修改內容）。 SRAM的讀或寫模式須分別具有“readability”（可讀）與“write stability”（寫穩定）。
Standby
如果字線沒有被選為高電平， 那么作為控制用的M5與M6兩個晶體管處于斷路，把基本單元與位線隔離。由M1 – M4組成的兩個反相器繼續保持其狀態，只要保持與高、低電平的連接。
Reading
假定存儲的內容為1, 即在Q處的電平為高。 讀周期之初，兩根位線預充值為邏輯1, 隨后字線WL充高電平，使得兩個訪問控制晶體管M5與M6通路。第二步是保存在Q與Q的值傳遞給位線BL在它預充的電位，而瀉掉BL預充的值，這是通過M1與M5的通路直接連到低電平使其值為邏輯0 （即Q的高電平使得晶體管M1通路）。 在位線BL一側，晶體管M4與M6通路，把位線連接到VDD所代表的邏輯1 （M4作為P溝道場效應管，由于柵加了Q的低電平而M4通路）。 如果存儲的內容為0, 相反的電路狀態將會使BL為1而BL為0. 要BL與BL有一個很小的電位差，讀取的放大電路將會辨識出哪根位線是1哪根是0. 敏感度越高，讀取速度越快。
Writing
寫周期之初，把要寫入的狀態加載到位線。如果要寫入0,則設置BL為1且BL為0.隨后字線WL加載為高電平，位線的狀態被載入SRAM的基本單元。這是通過位線輸入驅動被設計為比基本單元相對較弱的晶體管更為強壯，使得位線狀態可以覆蓋基本單元交叉耦合的反相器的以前的狀態。
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