用途：
TGG單晶具有大的磁光常數、低的光損失、高熱導性和高激光損傷閾值，廣泛應用于YAG、摻Ti藍寶石等多級放大、環型、種子注入激光器中。
TGG單晶是用于制作法拉第旋光器與隔離器的磁光材料，適用波長400-1100nm（不包括470nm-500nm）。法拉第旋光器由TGG晶棒和一個設計的磁體組成。穿過磁光材料的光束的偏振方向將在磁場作用下發生偏轉，其偏轉方向只與磁場方向有關，與光束傳播方向無關。光隔離器由一個45度偏轉的旋光器和一對適當放置的偏振器組成，它使光束能沿一個方向通過，而阻斷反向傳播的光束。
特性參數：
分子式 Tb3Ga5O12
晶格常數 a＝12.355
生長方法提拉法
密度 7.13G
莫氏硬度 8.0
熔點 1725℃
折射率 1.954 at 1064nm
溫度系數 9.4x10-6℃-1
維爾德常數 0.12min/Oe.cm at 1064nm
產品尺寸：
多種常規尺寸，以及可按客戶要求定制可做到Ф20mm
我司tgg晶體坯料消光比可30dB
TGG單晶具有大的磁光常數、低的光損失、高熱導性和高激光損傷閾值，廣泛應用于YAG、摻Ti藍寶石等多級放大、環型、種子注入激光器中。
TGG單晶是用于制作法拉第旋光器與隔離器的磁光材料，適用波長400-1100nm（不包括470nm-500nm）。法拉第旋光器由TGG晶棒和一個設計的磁體組成。穿過磁光材料的光束的偏振方向將在磁場作用下發生偏轉，其偏轉方向只與磁場方向有關，與光束傳播方向無關。光隔離器由一個45度偏轉的旋光器和一對適當放置的偏振器組成，它使光束能沿一個方向通過，而阻斷反向傳播的光束。
特性參數：
分子式 Tb3Ga5O12
晶格常數 a＝12.355
生長方法提拉法
密度 7.13G
莫氏硬度 8.0
熔點 1725℃
折射率 1.954 at 1064nm
溫度系數 9.4x10-6℃-1
維爾德常數 0.12min/Oe.cm at 1064nm
產品尺寸：
多種常規尺寸，以及可按客戶要求定制可做到Ф20mm
我司tgg晶體坯料消光比可30dB
