T883B 靜電放電模擬器
(HBM/MM/CDM,0～±20kV)
二管、三管和IC的HBM/MM/CDM D測試
（電子元器件靜電放電敏感度分類試驗）
一、概述
二管、三管和集成電路等電子元器件靜電放電敏感度要用國際水平的T883靜電放電模擬器，它是是專門為測量元器件的靜電放電模擬器，它輸出電壓范圍寬（0～±20kV)，高(1%),分辨率高(10V),其輸出電壓和波形合以下國際和標準：
美國標準MIL-STD-883E/F方法3015、MIL-STD-750 方法1020、MIL-PRP-19500、 MIL-PRP-38535
軍標G548A-97方法3015 微電子器件試驗方法和程序 靜電放電敏感度分類標準要求(等同于美國軍標MIL-STD-883E）
軍標G1649-93電子產器靜電放電控制大綱
軍標 G128A 半導體分立器件試驗方法 靜電放電敏感度分類
國際D協會標準ANSI/D STM 5.1-2001, ANSI/DSTM 5.2-2001,ANSI/D STM 5.3-2001
美國標準、MIL-STD-750和IEC747-1
T883B靜電放電模擬器，測試能力：2～2400pins 從二管、三管到各種IC，技術和器件從美國引進，使您不但能得到技術水平或國際水平的靜電放電模擬器，還能得到國際iNARTE(原美國NARTE）靜電與電磁兼容咨詢（Profsional EMC/D Consultant)提供的技術咨詢和技術支持,是國內外目前性能價格比和技術支持優的靜電放電模擬器。
二、技術指標
測試能力：2～2400pins 從各類（發光）二管、三管到各種IC，內置試驗板(IC ttboard)
放絡：
HBM MM CDM 合標準
儲能電容/
放電電阻R（注） 100 pF/1500 Ω (HBM) 200pF/0Ω (MM) DA/JEDECMIL/DA/JEDEC/JEITA
充電電阻（注）： 106～107Ω
輸出電壓： 0 ～ ±20KV(標稱值）連續可調
模擬器內置4個級別試驗電壓
輸出電壓示值的容許偏差： <±1% （0～ ±20KV）
輸出電壓穩定性: 0.5% (24小時）
電壓顯示：3 1/2位發光管時顯示，電壓顯示分辨率:10V
輸出電壓性：正和負性（可帶電直接切換）
放電電流波形：
Tri(上升時間）：小于10ns
Tdi(衰減時間）：150±20ns
Ip(峰值電流）：見表1中所選電壓等級對應的Ip±10%內
Ir(振蕩電流):小于Ip的15%，脈沖100ns后觀察不到
HBM MM CDM
(MIL-STD-883E和G548A-97 方法3015)
放電操作方式：手動單次放電,自動連續：1～10秒連續可調
工作環境： 溫度5-40℃；相對濕度20-80%，無凝露；氣壓68-106kPa
供電： AC85V～260V, 50/60Hz
（注）可根據用戶訂做其它模型如機器模型(MM)或其它要求模型的儲能電容、放電電阻和充電電阻要求的靜電放電模擬器
三、技術支持與服務：
本產品采用美國技術，中美國國際項目合作多年的新成果，優化電路設計和改進各國靜電發生器、關鍵器件，質量、幾十年的靜電儀器開發積累的經驗和技術，我們對T系列產品提供 的技術支持與優的服務：
保修叁年， 維修，維修周期2-7天，讓您使用放心；
提供每年在上海、北京和深圳的靜電技術培訓1人次 ； （見：近培訓活動）
提供相關標準GB和標準G的技術咨詢；
提供國外標準如IEC，DA, MIL相關標準的技術咨詢；
美國NARTE靜電長期提供相關技術咨詢，使您得到科學準確的技術支持，為您解決實際D問題，使您的產品能順利通過D試驗
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