產品信息：
晶體管類型：NPN電流-集電（Ic）（）：600mA
電壓-集電發射擊穿（）：40V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（）：1V @ 50mA, 500mA
在某Ic、Vce時的小直流電流增益（hFE）：100 @ 150mA, 10V
功率-：225mW
頻率-轉換：300MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包裝：帶卷（TR）
晶體三管是常用的基本元器件之一，晶體三管的作用主要是電流放大，他是電子電路的元件，現在的大規模集成電路的基本組成部分也就是晶體三管。
三管基本機構是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種， 從三個區引出相應的電，分別為基b發射e和集電c.發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電?；鶇^很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，PNP型三管發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射箭頭向里；NPN型三管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發射箭頭向外。發射箭頭向外。發射箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三管和鍺晶體三管都有PNP型和NPN型兩種類型。