技術規格
型號：GM8012＋GM83001E GM8012＋2XGM83001E GM8012＋GM83002 GM8012＋2XGM83002
探測器類型：單通道InGaAs
雙通道：InGaAs
單通道：InGaAs
雙通道：InGaAs
波長范圍：850~1700 nm 850~1700 nm
功率范圍：＋3~-85 dBm＋23~-60 dBm
光纖類型：62.5um
：＋/-4%（1200nm~1610nm）
相對：<0.02dB Typical
功率線性度：<＝＋/-0.06dB（1200nm~1610nm，＋0~-60dBm）
回損：>40dB
工作溫度：0～＋40℃
存儲溫度：-30～＋80℃
校準周期：2 years
外形尺寸：200mmW，105mmH，250mmD
重量：4.5kg
型號：GM8012＋GM83001E GM8012＋2XGM83001E GM8012＋GM83002 GM8012＋2XGM83002
探測器類型：單通道InGaAs
雙通道：InGaAs
單通道：InGaAs
雙通道：InGaAs
波長范圍：850~1700 nm 850~1700 nm
功率范圍：＋3~-85 dBm＋23~-60 dBm
光纖類型：62.5um
：＋/-4%（1200nm~1610nm）
相對：<0.02dB Typical
功率線性度：<＝＋/-0.06dB（1200nm~1610nm，＋0~-60dBm）
回損：>40dB
工作溫度：0～＋40℃
存儲溫度：-30～＋80℃
校準周期：2 years
外形尺寸：200mmW，105mmH，250mmD
重量：4.5kg
