原位薄膜應力計 （MOS）

　　世界原位薄膜應力測量系統，又名原位薄膜應力計或原位薄膜應力儀！MOS美國技術！曾榮獲2008　Innovation　of　the　Year　Awardee！　
　　
　　技術參數　
　　1、掃描分辨率：2μm；　
　　2、平均曲率分辨率：＜2e-5（1／m）1-sigma（50km　radius）1-sigma；
　　3、平均翹曲測量重復性：＜5e-6（radians）1-sigma；　
　　4、平均曲率重復性：＜2×10-5　1／m（1sigma）
　　
　　主要特點
　　1、程序化控制掃描模式：選定區域、多點線性掃描、積掃描；　
　　2、實時原位成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應力成像分析；　
　　3、實時原位測量功能：曲率、曲率半徑、應力強度、應力和翹曲等；
　　4、支持裝在各種真空沉積設備或表面處理設備上（如：E，MOCVD，sputtering，PLD，PECVD，and　annealing　chaers　ects）。
　　
　　采用非接觸激光MOS技術；不但可以的對樣品表面應力分布進行統計分析，而且還可以進行樣品表面二維應力、曲率成像分析；　　
　　
　　該設備已經廣泛被高等學府（如：Harvard　University　2套，Stanford　University，Johns　Hopkins　University，Brown　University　2套，Karlsruhe　Research　Center，Max　Planck　Institute，西安交通大學等）、半導體制和微電子造商（如IBM。，Seagate　Research　Center，Phillips　Semiconductor，NEC，Nissan　ARC，Nichia　Gl　Corporation）等所采用；　
　　
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　　薄膜應力儀（薄膜應力測量儀）：為測量系統，同樣采用的MOS技術，詳細信息請與我們聯系。