TSV1200-S型多功能磁控濺射鍍膜機
應用范圍：手機外殼，MP3外殼，數碼相機外殼，各種標牌的裝飾改性加硬鍍膜。可鍍膜層：氮化鈦（TiN），氮碳化鈦（TiCN），氮化鋯（ZrN），氮化鉻（CrN），氮化鋁鈦（TiAlN），碳化鈦（TiC）等。顏色：金色，銀色，黑色蘭色等等。
主要特點：
1，側面雙開門結構，便于裝片和換靶
2，設計預濺射擋板，工藝控制簡便，節省時間
3，設計的充氣和抽氣系統，鍍膜區寬
4，脈沖偏壓非平衡對靶中頻磁控濺射技術，鍍膜質量穩定
5，采用PLC工控機控制，可實現設備和工藝手動和自動控制，多重泵閥水電互鎖互保護
6，安裝采用四質譜監控和氦質譜檢漏，真空密封性好，設備工藝穩定
7，轉動采用磁流體引入，長期運轉密封
8，綜合效率高，裝片量大。50X70mm工件，可裝800片
9，部件采用國內，電器元件采用或合資企業產品，設備長期運行穩定。
主要技術參數和配置：
（一），真空系統技術指標
1，限真空：2×10-a；
2，抽速：大氣到5×10-a≤30mm（空載，冷態，潔凈）；
3，壓升率：小于0.5Pa／hr。
（二），真空室和真空系統配置
1，鍍膜室尺寸：1210mm（直徑）×1200mm（高）；
2，采用側面對開雙門方式，便于工件裝卸；
3，外壁通冷卻水，冷卻水管采用半圓管焊接方式，焊縫美觀，平整；
4，3個觀察窗口，左右門上各一個，室體正前方一個；
5，抽氣室內安裝一個旋轉抽氣擋板，旋轉角度范圍0～90°
6，兩臺φ400mm口徑分子泵；
7，1臺ZJP300型羅茨泵，增加氣動旁通閥；
8，2臺2X-70型機械泵，一臺為粗抽泵，一臺為分子泵維持泵；
9，φ400mm口徑高真空氣動閥2套；
（三），工件掛架以及驅動裝置
1，一套公，自轉工轉機構，采用下驅動方式的二維平面行星機構，自轉軸20根；
2，轉速0-8圈／分鐘可控可調；
3，驅動引入采用磁流體密封；
（四），真空測量系統
1，采用一臺數字式復合真空計；
2，一路高真空測量，兩路低真空測量（室體一路，低真空管道一路）。
（五），磁控濺射陰靶
1，四對磁控濺射靶（四只外裝靶，四只內裝靶，共八只靶）
2，磁控濺射靶靶材尺寸：912mm×120mm（長×寬）；
（六），加熱系統
1，6只加熱器，沿室壁圓周分布，每只功率3KW，加熱總功率18KW；
2，金屬鎧裝熱電偶一只，安裝于室體頂部；
3，烘烤溫度300℃，能實現溫度自動控制；
4，加熱器引入采用金屬密封。
（七），水冷卻系統
1、真空室冷卻
2、八個靶體冷卻
3、分子泵，羅茨泵冷卻
4、冷卻水測溫，并報警
（八），供氣系統
1、4路進氣（Ar，N2，O2，C2H2），1個混氣罐；
2、4只AE質量流量計，4只電磁截止閥，4只手動針閥；
3、氣路管道采用外徑1／4″不銹鋼管，配均勻布氣管。
（九），預濺射擋板
1，擋板邊緣折邊，增加強度，避免烘烤熱變形；
2，驅動引入密封采用磁流體密封。
（十），濺射及偏壓供電系統：
1、3套30K濺射電源：
2、一套PLS-30K型脈沖偏壓電源
（十一），控制單元
1、控制系統：采用機（工控機）＋下位機（PLC）的控制形式，工控機向PLC發送命令，PLC去控制真空系統，加熱系統，轉動系統。
2、真空控制有手動和自動，自動包括四個過程：真空，連續，取件，停機。
3、靶控制也有手動和自動，自動主要以時間和功率來控制能保存和調用工藝參數。
4、報警系統有泵，靶斷水報警，系統氣壓低報警等，全系統具有爆，互保護，泵閥互鎖
（十二）設備動力要求
水源：工業軟水，水壓0.2～0.3Mpa，水量～50L／min，進水溫度≤25℃；
氣源：氣壓0.6MPa；
電源：三相五線制380V，50Hz，波動范圍±5％：功率≥60KW，150KW
（十三）占地面積：3200長X4200寬X2100高
應用范圍：手機外殼，MP3外殼，數碼相機外殼，各種標牌的裝飾改性加硬鍍膜。可鍍膜層：氮化鈦（TiN），氮碳化鈦（TiCN），氮化鋯（ZrN），氮化鉻（CrN），氮化鋁鈦（TiAlN），碳化鈦（TiC）等。顏色：金色，銀色，黑色蘭色等等。
主要特點：
1，側面雙開門結構，便于裝片和換靶
2，設計預濺射擋板，工藝控制簡便，節省時間
3，設計的充氣和抽氣系統，鍍膜區寬
4，脈沖偏壓非平衡對靶中頻磁控濺射技術，鍍膜質量穩定
5，采用PLC工控機控制，可實現設備和工藝手動和自動控制，多重泵閥水電互鎖互保護
6，安裝采用四質譜監控和氦質譜檢漏，真空密封性好，設備工藝穩定
7，轉動采用磁流體引入，長期運轉密封
8，綜合效率高，裝片量大。50X70mm工件，可裝800片
9，部件采用國內，電器元件采用或合資企業產品，設備長期運行穩定。
主要技術參數和配置：
（一），真空系統技術指標
1，限真空：2×10-a；
2，抽速：大氣到5×10-a≤30mm（空載，冷態，潔凈）；
3，壓升率：小于0.5Pa／hr。
（二），真空室和真空系統配置
1，鍍膜室尺寸：1210mm（直徑）×1200mm（高）；
2，采用側面對開雙門方式，便于工件裝卸；
3，外壁通冷卻水，冷卻水管采用半圓管焊接方式，焊縫美觀，平整；
4，3個觀察窗口，左右門上各一個，室體正前方一個；
5，抽氣室內安裝一個旋轉抽氣擋板，旋轉角度范圍0～90°
6，兩臺φ400mm口徑分子泵；
7，1臺ZJP300型羅茨泵，增加氣動旁通閥；
8，2臺2X-70型機械泵，一臺為粗抽泵，一臺為分子泵維持泵；
9，φ400mm口徑高真空氣動閥2套；
（三），工件掛架以及驅動裝置
1，一套公，自轉工轉機構，采用下驅動方式的二維平面行星機構，自轉軸20根；
2，轉速0-8圈／分鐘可控可調；
3，驅動引入采用磁流體密封；
（四），真空測量系統
1，采用一臺數字式復合真空計；
2，一路高真空測量，兩路低真空測量（室體一路，低真空管道一路）。
（五），磁控濺射陰靶
1，四對磁控濺射靶（四只外裝靶，四只內裝靶，共八只靶）
2，磁控濺射靶靶材尺寸：912mm×120mm（長×寬）；
（六），加熱系統
1，6只加熱器，沿室壁圓周分布，每只功率3KW，加熱總功率18KW；
2，金屬鎧裝熱電偶一只，安裝于室體頂部；
3，烘烤溫度300℃，能實現溫度自動控制；
4，加熱器引入采用金屬密封。
（七），水冷卻系統
1、真空室冷卻
2、八個靶體冷卻
3、分子泵，羅茨泵冷卻
4、冷卻水測溫，并報警
（八），供氣系統
1、4路進氣（Ar，N2，O2，C2H2），1個混氣罐；
2、4只AE質量流量計，4只電磁截止閥，4只手動針閥；
3、氣路管道采用外徑1／4″不銹鋼管，配均勻布氣管。
（九），預濺射擋板
1，擋板邊緣折邊，增加強度，避免烘烤熱變形；
2，驅動引入密封采用磁流體密封。
（十），濺射及偏壓供電系統：
1、3套30K濺射電源：
2、一套PLS-30K型脈沖偏壓電源
（十一），控制單元
1、控制系統：采用機（工控機）＋下位機（PLC）的控制形式，工控機向PLC發送命令，PLC去控制真空系統，加熱系統，轉動系統。
2、真空控制有手動和自動，自動包括四個過程：真空，連續，取件，停機。
3、靶控制也有手動和自動，自動主要以時間和功率來控制能保存和調用工藝參數。
4、報警系統有泵，靶斷水報警，系統氣壓低報警等，全系統具有爆，互保護，泵閥互鎖
（十二）設備動力要求
水源：工業軟水，水壓0.2～0.3Mpa，水量～50L／min，進水溫度≤25℃；
氣源：氣壓0.6MPa；
電源：三相五線制380V，50Hz，波動范圍±5％：功率≥60KW，150KW
（十三）占地面積：3200長X4200寬X2100高