半導體三管又稱“晶體三管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP（或NPN）結構。中間的N區（或P區）叫基區，兩邊的區域叫發射區和集電區，這三部分各有一條電引線，分別叫基B、發射E和集電C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。
工作原理：當b點電位高于e點電位點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電電源Ec要高于基電源Ebo。在制造三管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射電流了。由于基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基電源Eb重新補給，從而形成了基電流Ibo。根據電流連續性原理得：Ie=Ib+Ic，這就是說，在基補充一個很小的Ib，就可以在集電上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持的比例關系，即：β1=Ic/Ib 式中：β1--稱為直流放大倍數，集電電流的變化量△Ic與基電流的變化量△Ib之比為：β= △Ic/△Ib。式中β--稱為交流電流放大倍數，由于低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。三管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三管的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。