北京飛凱曼科技有限公司提供匈牙利Semilab公司W(wǎng)T-2000型、WT-1200A、WT-1200B型、WT-1000型少子壽命測(cè)試儀、DLS-83D深能級(jí)瞬態(tài)譜儀、SE-2000全光譜橢偏儀、擴(kuò)展電阻測(cè)試儀、汞CV測(cè)試儀、非接觸式霍爾效應(yīng)測(cè)試儀、原子力顯微鏡、掃描探針顯微鏡、納米壓痕測(cè)試儀等。

少子壽命測(cè)試儀主要應(yīng)用于半導(dǎo)體/光電/光伏材料（單晶/多晶硅片及硅錠）的工藝控制及測(cè)試手段。通過(guò)測(cè)量少子壽命，可做出晶體生長(zhǎng)及工藝過(guò)程引入的缺陷圖及硅片中的Fe元素污染圖。儀器主要功能有微波光電導(dǎo)衰減法測(cè)少子壽命，光誘導(dǎo)電流測(cè)試，無(wú)接觸方塊電阻測(cè)試，渦流場(chǎng)體電阻率測(cè)試，F(xiàn)e元素含量測(cè)試。

WT-2000型少子壽命測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):
    
1. 微波光電導(dǎo)衰減法測(cè)少子壽命:
　1.1 壽命測(cè)試范圍：0.1 us – 30 ms  
　1.2 測(cè)試分辨率：0.1%  
　1.3掃描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm 
　1.4 樣品的電阻率范圍：0.1 – 1000 ΩCM 
　1.5 測(cè)試光點(diǎn)直徑：1mm 
　1.6 測(cè)試速度：30ms/數(shù)據(jù)點(diǎn)
　1.7 測(cè)試點(diǎn)數(shù)：過(guò)360000 
　1.8激光源波長(zhǎng)：904nm 
　1.9光源脈沖寬度：200ns,fall time 10ns
2. 光誘導(dǎo)電流測(cè)試
　2.1 掃描區(qū)域：210 ? 210 mm 
　2.2 測(cè)試電流范圍：1 uA – 1mA 
　2.3 光源波長(zhǎng)：403，880，950，980 nm 
　2.4 選加功能：硅片，電池的上述激光波長(zhǎng)反射率掃描，電池的IQE，EQE掃描 
　2.5 通過(guò)兩個(gè)以上的激光器，可以計(jì)算少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度
3. 方塊電阻測(cè)試:
　　無(wú)接觸方塊電阻測(cè)試功能，以取代傳統(tǒng)的四探針
　3.1 可測(cè)試樣品：np or pn structure 
　3.2 測(cè)試范圍：10 Ω/sq to 1000Ω/sq 
　3.3 測(cè)試分辨率：2% 
　3.4 掃描分辨率：10mm 
　3.5 測(cè)試：< 3% 
　3.6 測(cè)試重復(fù)性：< 1%
4. 體電阻率掃描:
　　渦流場(chǎng)測(cè)試，無(wú)接觸，傷測(cè)試
　4.1 測(cè)試范圍：0.5 – 20 ΩCM      
　4.2 測(cè)試： 3-6 %  
　4.3 測(cè)試重復(fù)性： 2%            
　4.4 探頭直徑：5 mm
5. p型硅樣品，范圍：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3

詳細(xì)技術(shù)參數(shù)請(qǐng)咨詢我們。

少子壽命是描述半導(dǎo)體 材料特征方程的基本參數(shù)之一,對(duì)器件特性的描述起著重要作用,是對(duì)以PN結(jié)為基本結(jié)構(gòu)的器件,額外載流子的產(chǎn)生與復(fù)合在PN結(jié)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程中起著決定性的作用,因而少子壽命是決定PN結(jié)型器件工作特性的關(guān)鍵材料參數(shù)之一。

　　太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率主要依賴于基區(qū)的少子壽命.少子壽命越長(zhǎng)光照產(chǎn)生的過(guò)剩載流子越可能到達(dá)PN結(jié),受PN結(jié)電場(chǎng)分離后對(duì)外產(chǎn)生光電流,同樣由于暗電流的降低可增加太陽(yáng)電池的開路電壓,所以大部分生產(chǎn)商都在生產(chǎn)前檢驗(yàn)原始材料的一些關(guān)鍵性參數(shù),光伏工業(yè)生產(chǎn)中常見(jiàn)的測(cè)試就是少子壽命的測(cè)試,通過(guò)對(duì)原始材料的壽命測(cè)量預(yù)測(cè)成品太陽(yáng)電池的效率。

　　少子壽命測(cè)試儀采用微波光電導(dǎo)衰減法（ASTM國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)-1535）的測(cè)試原理，提供、快速、無(wú)接觸、傷的少數(shù)載流子壽命的測(cè)試，主要是通過(guò)904nm波長(zhǎng)的激光激發(fā)出硅片,硅棒或硅錠體內(nèi)的非平衡載流子，再通過(guò)微波反射的探測(cè)手段來(lái)測(cè)試少數(shù)載流子引起的電導(dǎo)率的變化，從而判斷該硅片,硅棒或硅錠的缺陷、沾污情況。該設(shè)備主要應(yīng)用于硅棒，硅片的出廠、進(jìn)廠檢查，生產(chǎn)工藝過(guò)程的沾污檢測(cè)等。是在太陽(yáng)能領(lǐng)域，少子壽命將直接關(guān)系到成品電池的效率，是備的檢測(cè)手段。

　　少子壽命測(cè)量?jī)x可測(cè)量半導(dǎo)體的少子壽命。少子壽命值反映了太陽(yáng)電池表面和基體對(duì)光生載流子的復(fù)合程度，即反映了光生載流子的利用程度。少子壽命是半導(dǎo)體晶體硅材料的一項(xiàng)關(guān)鍵性參數(shù)，它對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率有重要的影響，可以說(shuō)硅電池的轉(zhuǎn)化效率和少子壽命成正向相關(guān)對(duì)應(yīng)關(guān)系。

　　少子壽命測(cè)量?jī)x采用微波光電導(dǎo)衰減法（SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)-1535）的測(cè)試原理，即通過(guò)激光激發(fā)出硅體內(nèi)的非平衡載流子，再通過(guò)微波反射的探測(cè)手段來(lái)測(cè)試少數(shù)載流子引起的電導(dǎo)率的變化，從而計(jì)算出少子壽命值，為半導(dǎo)體提供、快速、無(wú)接觸、傷的少數(shù)載流子壽命的測(cè)試。該儀器測(cè)量少子壽命的ns級(jí)，分辨率達(dá)1%，測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性好、重復(fù)性高，完滿足太陽(yáng)能級(jí)硅電池的少子壽命測(cè)試。目前該方法是受市場(chǎng)接受的少子壽命測(cè)試方法。

主要特點(diǎn)：

• 適應(yīng)低電阻率樣片的測(cè)試需要，小樣品電阻率可達(dá)0.1ohmcm

• 全自動(dòng)操作及數(shù)據(jù)處理

• 對(duì)太陽(yáng)能級(jí)硅片，測(cè)試前一般不需鈍化處理

• 能夠測(cè)試單晶或多晶硅棒、片或硅錠

• 可以選擇測(cè)試樣品上任意位置

• 能提供的表面化學(xué)鈍化處理方法

• 對(duì)各道工序的樣品均可進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)控：

硅棒、切片的出廠、進(jìn)廠檢查
擴(kuò)散后的硅片
表面鍍膜后的硅片以及成品電池

　　
性能指標(biāo)：

• 測(cè)試材料： 硅、鍺等

• 樣片電阻率范圍： 0.1 - 1000Wcm

• 激光波長(zhǎng)： 904nm

• 光斑直徑： 10mm²

• 微波源： 可調(diào)頻率10.3GHz

• 少子壽命測(cè)試范圍： 100ns - 20ms

• 測(cè)試分辯率： 0.1%

• 測(cè)試時(shí)間： 30ms/數(shù)據(jù)點(diǎn)

• 可以提供單點(diǎn)或連續(xù)測(cè)試

主要應(yīng)用：

　　材料的質(zhì)量控制

• 硅片、棒的出廠、進(jìn)廠檢查

• 硅片的屬沾污測(cè)試

　　工藝過(guò)程質(zhì)量控制

• 生產(chǎn)過(guò)程中的硅片質(zhì)量監(jiān)測(cè)

氮化物鍍膜
金屬化
磷擴(kuò)散