NIR-01-3D型紅外探傷測試儀是采用歐洲CNC工程鋁合金材料，其表面都采用了度漆面和電氧化工藝保護，系統外框采用高質量工業設計，的部件的設計都了長期度使用及小維護量的要求，做到的穩定性和耐用性。
技術特點：
■自動化程度更高，測試效果更好
■采用銦鎵砷傳感器，而廠家采用固定值的模擬攝像管，具有硬件圖像校正和計算機參數控制的功能（包括亮度，伽馬，積分時間），其靈敏度好，探傷結果與實際情況一致性佳。不需為不同尺寸的硅塊設置不同的硬件參數（探傷位置，聚焦點，校準）
■我們的軟件系統為不同硅塊的表面情況及尺寸提供設置菜單，沒有要在硬件上進行設置（當然我們也可以從硬件上進行設置）。
■光源探照同質區域為300×330mm/550mm，我們采用了擴散板材料，了在沒有圖像處理的情況也能成像質量。
■測試范圍更廣
■不可以探測標準尺寸的硅塊，而且可以探測任何尺寸的硅塊，沒有光源照射區域限制。
■也可直接對未拋光的硅塊進行直接探測。
■壽命更長
■紅外照相機3年保修或更換的
■我們采用的是的含有冷卻單元的工業級鍍金近紅外鹵管，了光源的耐用性，設備已經不采用普通鹵管設計，我們提供了強致冷卻單元，為設備的正常使用提供了的冷卻單元，大大延長了儀器的使用壽命。
■的部件的設計都了長期度使用及小維護量的要求
■即使在高照明的條件下，我們的相機傳感器也幾乎沒有退化的情況。
■有多年在歐洲生產銷售應用的經驗，產品具有優良的工業應用性。
■檢測更快
■檢測速度快，自動四面檢測<1分鐘，快速兩面檢測<20秒，一面<5秒
■系統大
■可定制硅塊縫合復原功能
■可定制硅塊尺寸測試模塊
■可根據客戶需求進行功能模塊定制，包括硅錠晶體生長情況進行工藝分析
■可定制在線生產模式
■可定制砷化鎵磷化銦等其他半導體材料的探傷檢測
■可定制中文操作系統界面。
技術指標：
■主要探測指標：裂縫，黑點，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶
■硅塊電阻率：≥0.5Ohm*Cm（推薦）
■檢測時間：平均每個硅塊小于1分鐘，兩面小于20秒，一面小于5秒
■硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm
■分辨率：320px*256px（早生產的產品）
640 px*512px（目前市場供應）
1280 px*1024px（2010年12月份批量生產）
2560 px*2048px（行業，2011年1-3月份批量生產）
■旋轉臺
■采用單軸伺服電機
■承載量：40kg
■具有過流保護以損傷和電機燒毀
■無步進損失，高分辨率解碼機器
■紅外光源
■度NIR鹵燈，273mm加熱波長
■功率：230V，1000W
■溫度：25-60攝氏度
■光強可通過軟件控制
■軟件具有過熱保護
■觀測儀
■采用紅外CCD控溫
■12位ADC
■頻率：60Hz和100Hz兩個選擇
■像素間距：30μm
■可手動調節紅外鏡頭
■測試樣品
■測試硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm
■一套硬件裝備可以檢測尺寸的硅塊
■適用于不同的表面質量和厚度的硅塊
■適用于拋光面和裸面，拋光面探測效果更佳
■電阻率：≥0.5Ohm*Cm（推薦）。
■應用
■裂縫，黑點，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶
■軟件（基于WIN XP）
■可從四個方向進行自動取樣
■可快速進行樣塊的快速測量
■軟件會對探測結果進行評價
■可對檢測參數進行靈活設置
■可進行像素管理和圖像處理
■系統將對探測結果進行三維立體描繪。
技術特點：
■自動化程度更高，測試效果更好
■采用銦鎵砷傳感器，而廠家采用固定值的模擬攝像管，具有硬件圖像校正和計算機參數控制的功能（包括亮度，伽馬，積分時間），其靈敏度好，探傷結果與實際情況一致性佳。不需為不同尺寸的硅塊設置不同的硬件參數（探傷位置，聚焦點，校準）
■我們的軟件系統為不同硅塊的表面情況及尺寸提供設置菜單，沒有要在硬件上進行設置（當然我們也可以從硬件上進行設置）。
■光源探照同質區域為300×330mm/550mm，我們采用了擴散板材料，了在沒有圖像處理的情況也能成像質量。
■測試范圍更廣
■不可以探測標準尺寸的硅塊，而且可以探測任何尺寸的硅塊，沒有光源照射區域限制。
■也可直接對未拋光的硅塊進行直接探測。
■壽命更長
■紅外照相機3年保修或更換的
■我們采用的是的含有冷卻單元的工業級鍍金近紅外鹵管，了光源的耐用性，設備已經不采用普通鹵管設計，我們提供了強致冷卻單元，為設備的正常使用提供了的冷卻單元，大大延長了儀器的使用壽命。
■的部件的設計都了長期度使用及小維護量的要求
■即使在高照明的條件下，我們的相機傳感器也幾乎沒有退化的情況。
■有多年在歐洲生產銷售應用的經驗，產品具有優良的工業應用性。
■檢測更快
■檢測速度快，自動四面檢測<1分鐘，快速兩面檢測<20秒，一面<5秒
■系統大
■可定制硅塊縫合復原功能
■可定制硅塊尺寸測試模塊
■可根據客戶需求進行功能模塊定制，包括硅錠晶體生長情況進行工藝分析
■可定制在線生產模式
■可定制砷化鎵磷化銦等其他半導體材料的探傷檢測
■可定制中文操作系統界面。
技術指標：
■主要探測指標：裂縫，黑點，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶
■硅塊電阻率：≥0.5Ohm*Cm（推薦）
■檢測時間：平均每個硅塊小于1分鐘，兩面小于20秒，一面小于5秒
■硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm
■分辨率：320px*256px（早生產的產品）
640 px*512px（目前市場供應）
1280 px*1024px（2010年12月份批量生產）
2560 px*2048px（行業，2011年1-3月份批量生產）
■旋轉臺
■采用單軸伺服電機
■承載量：40kg
■具有過流保護以損傷和電機燒毀
■無步進損失，高分辨率解碼機器
■紅外光源
■度NIR鹵燈，273mm加熱波長
■功率：230V，1000W
■溫度：25-60攝氏度
■光強可通過軟件控制
■軟件具有過熱保護
■觀測儀
■采用紅外CCD控溫
■12位ADC
■頻率：60Hz和100Hz兩個選擇
■像素間距：30μm
■可手動調節紅外鏡頭
■測試樣品
■測試硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm
■一套硬件裝備可以檢測尺寸的硅塊
■適用于不同的表面質量和厚度的硅塊
■適用于拋光面和裸面，拋光面探測效果更佳
■電阻率：≥0.5Ohm*Cm（推薦）。
■應用
■裂縫，黑點，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶
■軟件（基于WIN XP）
■可從四個方向進行自動取樣
■可快速進行樣塊的快速測量
■軟件會對探測結果進行評價
■可對檢測參數進行靈活設置
■可進行像素管理和圖像處理
■系統將對探測結果進行三維立體描繪。
